سوال : اگر برای ساخت یک ترانزیستور NMOS افزایشی در فناوری n-well process با دو لایه فلز به ۶ عدد ماسک نیاز باشد، برای ساخت یه ترانزیستور PMOS تخلیه‏ای با ۸ لایه فلز در همین فناوری (n-well process)، در کل چند لایه ماسک نیاز است؟

جواب شده ۱۹/

اولین سوالم اینه که .قتی گفته n-well process یعنی ما الان n-well رو داریم یا باید ایجاد کنیم؟
بعد این درسته که با ۶ عدد ماسک چطور nmos افزایشی ساخته شده؟ اول این که p-substrain رو داریم . اولین ماسک می شه پلی ، n+ ماسک ۲، بعد کانتکت ماسک ۳، بعد فلز ۱ ماسک ۴، بعد کانتکت ماسک ۵، بعد فلز ۲ ماسک ۶؟

حالا واسه pmos : اول این که چه فرقی می کنه توی ساخت از نظر تعداد ماسک این که تخلیه باشه یا افزایشی؟

بعد چطور شده ۱۹؟
اول پلی واسه گیت، بعد p+ واسه سورس و درین، بعد یه لایه کانتکت و یه لایه فلز همین طور ۸ تا لایه فلز رو میریم که می شه ۱۶ تا لایه فلز و کانتکت و یکی هم پلی و یکی هم p+?!

اگه فرض کنیم که قرار باشه چاه n رو هم ایجاد کنیم می شه ۱۹ تا؟ درسته این؟