(۱۸ بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۱۶ ب.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  سلام
دوستان ممنون میشم اگه یه توضیح کلی واسه حل این مسئله دارید بگید
مثلاً سؤال سال ۹۲ رو فهمیدم حلشو ولی انگار عمق مطلبو نگرفتم که بتونم هر سؤالی از این مبحث دادن حل کنم

میشه ۲؟

(۱۸ بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۲۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(18 بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۱۶ ب.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  سلام
دوستان ممنون میشم اگه یه توضیح کلی واسه حل این مسئله دارید بگید
مثلاً سؤال سال ۹۲ رو فهمیدم حلشو ولی انگار عمق مطلبو نگرفتم که بتونم هر سؤالی از این مبحث دادن حل کنم

میشه ۲؟

نه دیگه همه سؤالا که ۲ نمیشه...اون میشد ۲
شوخی میکنم ...آره ۲ یعنی همون ۲۲ میشه
چطورکی حساب می کنید شما ؟

(۱۸ بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۳۵ ب.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(18 بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۲۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(18 بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۱۶ ب.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  سلام
دوستان ممنون میشم اگه یه توضیح کلی واسه حل این مسئله دارید بگید
مثلاً سؤال سال ۹۲ رو فهمیدم حلشو ولی انگار عمق مطلبو نگرفتم که بتونم هر سؤالی از این مبحث دادن حل کنم

میشه ۲؟

نه دیگه همه سؤالا که ۲ نمیشه...اون میشد ۲
شوخی میکنم ...آره ۲ یعنی همون ۲۲ میشه
چطورکی حساب می کنید شما ؟

هر فلز ۲ تا ماسک میخواد (همیشه همینه) پس ۵ تا فلز میشه ۱۰ تا ماسک. پس ۱۰ تا ماسک دیگه میمونه. حالا ۶ تا فلز میشه ۱۲ ماسک با این ۱۰ تا میشه ۲۲ ماسک. فقط یادت باشه تخلیه ای ۱ ماسک بیشتر میخواد چون کانال و از قبل میسازن واسش یه ماسک نیازه.

(۱۸ بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۴۸ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(18 بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۳۵ ب.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(18 بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۲۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(18 بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۱۶ ب.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  سلام
دوستان ممنون میشم اگه یه توضیح کلی واسه حل این مسئله دارید بگید
مثلاً سؤال سال ۹۲ رو فهمیدم حلشو ولی انگار عمق مطلبو نگرفتم که بتونم هر سؤالی از این مبحث دادن حل کنم

میشه ۲؟

نه دیگه همه سؤالا که ۲ نمیشه...اون میشد ۲
شوخی میکنم ...آره ۲ یعنی همون ۲۲ میشه
چطورکی حساب می کنید شما ؟

هر فلز ۲ تا ماسک میخواد (همیشه همینه) پس ۵ تا فلز میشه ۱۰ تا ماسک. پس ۱۰ تا ماسک دیگه میمونه. حالا ۶ تا فلز میشه ۱۲ ماسک با این ۱۰ تا میشه ۲۲ ماسک. فقط یادت باشه تخلیه ای ۱ ماسک بیشتر میخواد چون کانال و از قبل میسازن واسش یه ماسک نیازه.

یعنی فرض مسئله رو استفاده میکنیم توو جواب؟ گفتید ۱۰ تا مونده ؟!
جواب گسترشو دیدید؟
برای قرار دادن این دو مدار در کنار هم از یک لایه عایق مناسب بین دو مدار استفاده می شود که این لایه عایق از طریق ریختن مواد اولیه، قراردادن ماسک و تاباندن نور ماورای بنفش انجام میشه
برای + کردن لایه ششم فلز بین دو مدار F ابتداسطح مدار با لایه نازک اکسید و فوتورزیست پوشانیده میشه و سپس با قراردادن ماسک روی مدارهای F و تاباندن ماورای بنفش لایه ۶ فلزی روی دو مدار قرار می گیرد
=> برای ساخت مدار F به ۲۰ ماسک و برای در کنار هم قراردادن و لایه ۶ فلز دو ماسک نیاز دارد که میشه ۲۲

اینارو نمی فهمم

اینایی که گفتی نفهمیدم، من وقتی ترانزیستور مشابهست جاهایی که مشترک هست و حساب نمیکنم! ۱۰ تا ماسک بین این ۲ مشترکه پس همونو با تفاوتشون جمع میکنم، الان سوال ۹۲ رو با حرف من حل کن، فقط یدونه ماسک اضافه یادت نره.

Sent from my ME172V using Tapatalk

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۰ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  اینایی که گفتی نفهمیدم، من وقتی ترانزیستور مشابهست جاهایی که مشترک هست و حساب نمیکنم! ۱۰ تا ماسک بین این ۲ مشترکه پس همونو با تفاوتشون جمع میکنم، الان سوال ۹۲ رو با حرف من حل کن، فقط یدونه ماسک اضافه یادت نره.

Sent from my ME172V using Tapatalk

خب یعنی راه حل منحصر به خودتونه ؟! یا از جایی میگید اینو؟
الان ۹۲ گفته دو لایه فلز ۶ تا ماسک
۸ لایه فلز چی میشه؟
که به گفته شما ۲ تاش مشترکه کاریش نداریم...۶ تا از ۸ تا میمونه که ضربدر ۲ تا ماسک میشه ۱۲ تا
حالا ۱۲ + ۶ + ۱ هم که واسه تخلیه ای میشه ۱۹ همون گزینه ۳
اگه همه مسائلو جواب بده که خیلی خوبه
خیلی ممنون !!

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۰ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  اینایی که گفتی نفهمیدم، من وقتی ترانزیستور مشابهست جاهایی که مشترک هست و حساب نمیکنم! ۱۰ تا ماسک بین این ۲ مشترکه پس همونو با تفاوتشون جمع میکنم، الان سوال ۹۲ رو با حرف من حل کن، فقط یدونه ماسک اضافه یادت نره.

Sent from my ME172V using Tapatalk

خب یعنی راه حل منحصر به خودتونه ؟! یا از جایی میگید اینو؟
الان ۹۲ گفته دو لایه فلز ۶ تا ماسک
۸ لایه فلز چی میشه؟
که به گفته شما ۲ تاش مشترکه کاریش نداریم...۶ تا از ۸ تا میمونه که ضربدر ۲ تا ماسک میشه ۱۲ تا
حالا ۱۲ + ۶ + ۱ هم که واسه تخلیه ای میشه ۱۹ همون گزینه ۳
اگه همه مسائلو جواب بده که خیلی خوبه
خیلی ممنون !!

آره یجورایی خودم پیداش کردم. تا الان که رو همه سوالا جواب داده. سرِ کنکور جواب بده صلوات.

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۰ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  اینایی که گفتی نفهمیدم، من وقتی ترانزیستور مشابهست جاهایی که مشترک هست و حساب نمیکنم! ۱۰ تا ماسک بین این ۲ مشترکه پس همونو با تفاوتشون جمع میکنم، الان سوال ۹۲ رو با حرف من حل کن، فقط یدونه ماسک اضافه یادت نره.

Sent from my ME172V using Tapatalk

فقط بین ترانزیستورهای مشابه مشترکا حساب نمیشه؟
توی سوال ۸۵ سال ۹۲ که ترانزیستورها مشابه نیستند؟
اینجا گفتی مشترک حساب نمیکنیم بعد گفتی جمع میکنیم
یه توضیح بیشتر بده لطفا ممنونم

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۲۷ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۰ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  اینایی که گفتی نفهمیدم، من وقتی ترانزیستور مشابهست جاهایی که مشترک هست و حساب نمیکنم! ۱۰ تا ماسک بین این ۲ مشترکه پس همونو با تفاوتشون جمع میکنم، الان سوال ۹۲ رو با حرف من حل کن، فقط یدونه ماسک اضافه یادت نره.

Sent from my ME172V using Tapatalk

خب یعنی راه حل منحصر به خودتونه ؟! یا از جایی میگید اینو؟
الان ۹۲ گفته دو لایه فلز ۶ تا ماسک
۸ لایه فلز چی میشه؟
که به گفته شما ۲ تاش مشترکه کاریش نداریم...۶ تا از ۸ تا میمونه که ضربدر ۲ تا ماسک میشه ۱۲ تا
حالا ۱۲ + ۶ + ۱ هم که واسه تخلیه ای میشه ۱۹ همون گزینه ۳
اگه همه مسائلو جواب بده که خیلی خوبه
خیلی ممنون !!

آره یجورایی خودم پیداش کردم. تا الان که رو همه سوالا جواب داده. سرِ کنکور جواب بده صلوات.

اللهم صل علی محمد و آل محمد و عجل فرجهم....هوف هوف ...فوت کردیم به شما هم برسه
گشتم ببینم یه مثال نقض میشه واسه راه حلتون پیدا کرد !
اینو ببینید !
برای ساخت ترانزیستور pmos تخلیه ای با فناوری n-well با ۱۰ لایه فلز به ۳۰ تا ماسک نیازه
ساخت nmos افزایشی در همین فناوری با دو لایه چند ماسک؟
با راه شما مگه نمیشه ۸ تا لایه از اولی کمتره پس ۳۰ - ۸*۲ -۱ برا تخلیه که میشه ۱۳
ولی جوابش ۱۲ إ
گفته pmos یک ماسک برای n-well و یک ماسک هم برای ایجاد ناحیه تخلیه زیر گیت !
الان شما چطورکی جواب میدی ؟!

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۰۷ ق.ظ)shahbazi نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۰ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  اینایی که گفتی نفهمیدم، من وقتی ترانزیستور مشابهست جاهایی که مشترک هست و حساب نمیکنم! ۱۰ تا ماسک بین این ۲ مشترکه پس همونو با تفاوتشون جمع میکنم، الان سوال ۹۲ رو با حرف من حل کن، فقط یدونه ماسک اضافه یادت نره.

Sent from my ME172V using Tapatalk

فقط بین ترانزیستورهای مشابه مشترکا حساب نمیشه؟
توی سوال ۸۵ سال ۹۲ که ترانزیستورها مشابه نیستند؟
اینجا گفتی مشترک حساب نمیکنیم بعد گفتی جمع میکنیم
یه توضیح بیشتر بده لطفا ممنونم

تو سوال ۸۵ سال ۹۲ ترانزیستور تخلیه ای هستش یعنی همه چیزش مشابهست فقط یک ماسک برای کانال بیشتر داره. مثال میزنم :

فرض کن گفتن با ۴ تا فلز ۲۰ تا ماسک نیازه.خب تا همینجا میگیم برای ۴ تا فلز ۸ ماسک نیازه. یعنی ۸ تا از ۲۰ تا میره واسه فلز. بقیش که ۱۲ تاست خرجِ ساخت بقیه ترانزستور میشه.حالا اگه گفت با ۳ تا فلز چندتا ماسک برای ساخت تخلیه ای نیازه میگیم خب ۱۲ تایی که برای ساخت نیاز بود که ثابته و اینجا هم بکارمون میاد یکی هم برای کانال میخوایم که تا اینجا میشه ۱۳ تا ماسک. برای ۳ تا فلز هم ۶ تا ماسک میخوایم که جمعا میشه ۱۹ تا ماسک. به همین راحتی

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۲۴ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۰۷ ق.ظ)shahbazi نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۰ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  اینایی که گفتی نفهمیدم، من وقتی ترانزیستور مشابهست جاهایی که مشترک هست و حساب نمیکنم! ۱۰ تا ماسک بین این ۲ مشترکه پس همونو با تفاوتشون جمع میکنم، الان سوال ۹۲ رو با حرف من حل کن، فقط یدونه ماسک اضافه یادت نره.

Sent from my ME172V using Tapatalk

فقط بین ترانزیستورهای مشابه مشترکا حساب نمیشه؟
توی سوال ۸۵ سال ۹۲ که ترانزیستورها مشابه نیستند؟
اینجا گفتی مشترک حساب نمیکنیم بعد گفتی جمع میکنیم
یه توضیح بیشتر بده لطفا ممنونم

تو سوال ۸۵ سال ۹۲ ترانزیستور تخلیه ای هستش یعنی همه چیزش مشابهست فقط یک ماسک برای کانال بیشتر داره. مثال میزنم :

فرض کن گفتن با ۴ تا فلز ۲۰ تا ماسک نیازه.خب تا همینجا میگیم برای ۴ تا فلز ۸ ماسک نیازه. یعنی ۸ تا از ۲۰ تا میره واسه فلز. بقیش که ۱۲ تاست خرجِ ساخت بقیه ترانزستور میشه.حالا اگه گفت با ۳ تا فلز چندتا ماسک برای ساخت تخلیه ای نیازه میگیم خب ۱۲ تایی که برای ساخت نیاز بود که ثابته و اینجا هم بکارمون میاد یکی هم برای کانال میخوایم که تا اینجا میشه ۱۳ تا ماسک. برای ۳ تا فلز هم ۶ تا ماسک میخوایم که جمعا میشه ۱۹ تا ماسک. به همین راحتی

ممنونم خیلی خوب توضیح میدی لطفا برو تاپیک وی ال و الکترونیک

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۲۷ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۰ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  اینایی که گفتی نفهمیدم، من وقتی ترانزیستور مشابهست جاهایی که مشترک هست و حساب نمیکنم! ۱۰ تا ماسک بین این ۲ مشترکه پس همونو با تفاوتشون جمع میکنم، الان سوال ۹۲ رو با حرف من حل کن، فقط یدونه ماسک اضافه یادت نره.

Sent from my ME172V using Tapatalk

خب یعنی راه حل منحصر به خودتونه ؟! یا از جایی میگید اینو؟
الان ۹۲ گفته دو لایه فلز ۶ تا ماسک
۸ لایه فلز چی میشه؟
که به گفته شما ۲ تاش مشترکه کاریش نداریم...۶ تا از ۸ تا میمونه که ضربدر ۲ تا ماسک میشه ۱۲ تا
حالا ۱۲ + ۶ + ۱ هم که واسه تخلیه ای میشه ۱۹ همون گزینه ۳
اگه همه مسائلو جواب بده که خیلی خوبه
خیلی ممنون !!

آره یجورایی خودم پیداش کردم. تا الان که رو همه سوالا جواب داده. سرِ کنکور جواب بده صلوات.

اللهم صل علی محمد و آل محمد و عجل فرجهم....هوف هوف ...فوت کردیم به شما هم برسه
گشتم ببینم یه مثال نقض میشه واسه راه حلتون پیدا کرد !
اینو ببینید !
برای ساخت ترانزیستور pmos تخلیه ای با فناوری n-well با ۱۰ لایه فلز به ۳۰ تا ماسک نیازه
ساخت nmos افزایشی در همین فناوری با دو لایه چند ماسک؟
با راه شما مگه نمیشه ۸ تا لایه از اولی کمتره پس ۳۰ - ۸*۲ -۱ برا تخلیه که میشه ۱۳
ولی جوابش ۱۲ إ
گفته pmos یک ماسک برای n-well و یک ماسک هم برای ایجاد ناحیه تخلیه زیر گیت !
الان شما چطورکی جواب میدی ؟!

اوه شما اشتباه متوجه منظورم شدین یبار دیگه حل میکنم. سوالی که واسه خانوم شهبازی هم حل کردم نگاه کنین.

حل : pmos تخلیه ای ۱۰ لایه فلز داره پس ۲۰ ماسک برای فلزهاش نیازه و ۱ ماسک برای کانال داره که nmos نداره پس در کل از ۳۰ تا ۲۱ ماسک غیر مشترک و ۹ ماسک مشترک داره. حالا nmos افزایشی ۲ لایه فلز داره پس ۴ ماسک برای فلزهاش میخواد برای ساخت بقیه ترانزیستور هم که ۹ ماسک مشترک بود. پس ۳+۹=۱۳ اما اینجا فناوری رو تغییر داده. یعنی یکی هم برای nwell گرفته. سوال کجاست؟ .


البته چون داریم pmos رو به nmos تبدیل میکنیم یکی هم باید چاه بگیریم. یعنی اگه جای pmos تخلیه ای میگفت nmos تخلیه ای میشد ۱۳ ماسک .

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۳۴ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۲۷ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۰ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  اینایی که گفتی نفهمیدم، من وقتی ترانزیستور مشابهست جاهایی که مشترک هست و حساب نمیکنم! ۱۰ تا ماسک بین این ۲ مشترکه پس همونو با تفاوتشون جمع میکنم، الان سوال ۹۲ رو با حرف من حل کن، فقط یدونه ماسک اضافه یادت نره.

Sent from my ME172V using Tapatalk

خب یعنی راه حل منحصر به خودتونه ؟! یا از جایی میگید اینو؟
الان ۹۲ گفته دو لایه فلز ۶ تا ماسک
۸ لایه فلز چی میشه؟
که به گفته شما ۲ تاش مشترکه کاریش نداریم...۶ تا از ۸ تا میمونه که ضربدر ۲ تا ماسک میشه ۱۲ تا
حالا ۱۲ + ۶ + ۱ هم که واسه تخلیه ای میشه ۱۹ همون گزینه ۳
اگه همه مسائلو جواب بده که خیلی خوبه
خیلی ممنون !!

آره یجورایی خودم پیداش کردم. تا الان که رو همه سوالا جواب داده. سرِ کنکور جواب بده صلوات.

اللهم صل علی محمد و آل محمد و عجل فرجهم....هوف هوف ...فوت کردیم به شما هم برسه
گشتم ببینم یه مثال نقض میشه واسه راه حلتون پیدا کرد !
اینو ببینید !
برای ساخت ترانزیستور pmos تخلیه ای با فناوری n-well با ۱۰ لایه فلز به ۳۰ تا ماسک نیازه
ساخت nmos افزایشی در همین فناوری با دو لایه چند ماسک؟
با راه شما مگه نمیشه ۸ تا لایه از اولی کمتره پس ۳۰ - ۸*۲ -۱ برا تخلیه که میشه ۱۳
ولی جوابش ۱۲ إ
گفته pmos یک ماسک برای n-well و یک ماسک هم برای ایجاد ناحیه تخلیه زیر گیت !
الان شما چطورکی جواب میدی ؟!

اوه شما اشتباه متوجه منظورم شدین یبار دیگه حل میکنم. سوالی که واسه خانوم شهبازی هم حل کردم نگاه کنین.

حل : pmos تخلیه ای ۱۰ لایه فلز داره پس ۲۰ ماسک برای فلزهاش نیازه و ۱ ماسک برای کانال داره که nmos نداره پس در کل از ۳۰ تا ۲۱ ماسک غیر مشترک و ۹ ماسک مشترک داره. حالا nmos افزایشی ۲ لایه فلز داره پس ۴ ماسک برای فلزهاش میخواد برای ساخت بقیه ترانزیستور هم که ۹ ماسک مشترک بود. پس ۳+۹=۱۳ اما اینجا فناوری رو تغییر داده. یعنی یکی هم برای nwell گرفته. سوال کجاست؟ .

إإإإ من همرو کاملاً برعکسی فهمیده بودم
یعنی وقتی فرض مسئله رو میده اول واسه اون ماسکارو جدا می کنیم
بعد بقیه ماسکارو با تعداد ماسک هایی که مسئله خواسته حل میکنیم

---

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۳۴ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۲۷ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۰ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  اینایی که گفتی نفهمیدم، من وقتی ترانزیستور مشابهست جاهایی که مشترک هست و حساب نمیکنم! ۱۰ تا ماسک بین این ۲ مشترکه پس همونو با تفاوتشون جمع میکنم، الان سوال ۹۲ رو با حرف من حل کن، فقط یدونه ماسک اضافه یادت نره.

Sent from my ME172V using Tapatalk

خب یعنی راه حل منحصر به خودتونه ؟! یا از جایی میگید اینو؟
الان ۹۲ گفته دو لایه فلز ۶ تا ماسک
۸ لایه فلز چی میشه؟
که به گفته شما ۲ تاش مشترکه کاریش نداریم...۶ تا از ۸ تا میمونه که ضربدر ۲ تا ماسک میشه ۱۲ تا
حالا ۱۲ + ۶ + ۱ هم که واسه تخلیه ای میشه ۱۹ همون گزینه ۳
اگه همه مسائلو جواب بده که خیلی خوبه
خیلی ممنون !!

آره یجورایی خودم پیداش کردم. تا الان که رو همه سوالا جواب داده. سرِ کنکور جواب بده صلوات.

اللهم صل علی محمد و آل محمد و عجل فرجهم....هوف هوف ...فوت کردیم به شما هم برسه
گشتم ببینم یه مثال نقض میشه واسه راه حلتون پیدا کرد !
اینو ببینید !
برای ساخت ترانزیستور pmos تخلیه ای با فناوری n-well با ۱۰ لایه فلز به ۳۰ تا ماسک نیازه
ساخت nmos افزایشی در همین فناوری با دو لایه چند ماسک؟
با راه شما مگه نمیشه ۸ تا لایه از اولی کمتره پس ۳۰ - ۸*۲ -۱ برا تخلیه که میشه ۱۳
ولی جوابش ۱۲ إ
گفته pmos یک ماسک برای n-well و یک ماسک هم برای ایجاد ناحیه تخلیه زیر گیت !
الان شما چطورکی جواب میدی ؟!

اوه شما اشتباه متوجه منظورم شدین یبار دیگه حل میکنم. سوالی که واسه خانوم شهبازی هم حل کردم نگاه کنین.

حل : pmos تخلیه ای ۱۰ لایه فلز داره پس ۲۰ ماسک برای فلزهاش نیازه و ۱ ماسک برای کانال داره که nmos نداره پس در کل از ۳۰ تا ۲۱ ماسک غیر مشترک و ۹ ماسک مشترک داره. حالا nmos افزایشی ۲ لایه فلز داره پس ۴ ماسک برای فلزهاش میخواد برای ساخت بقیه ترانزیستور هم که ۹ ماسک مشترک بود. پس ۳+۹=۱۳ اما اینجا فناوری رو تغییر داده. یعنی یکی هم برای nwell گرفته. سوال کجاست؟ .


البته چون داریم pmos رو به nmos تبدیل میکنیم یکی هم باید چاه بگیریم. یعنی اگه جای pmos تخلیه ای میگفت nmos تخلیه ای میشد ۱۳ ماسک .

شما هی ویرایش کن ما ضایع شیم
سوال پارسه اس ...ضمیمه می کنم
الان قاطی کردم نفهمیدم بالاخره فهمیدم یا نه ؟!؟

---

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۴۰ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۳۴ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۲۷ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  خب یعنی راه حل منحصر به خودتونه ؟! یا از جایی میگید اینو؟
الان ۹۲ گفته دو لایه فلز ۶ تا ماسک
۸ لایه فلز چی میشه؟
که به گفته شما ۲ تاش مشترکه کاریش نداریم...۶ تا از ۸ تا میمونه که ضربدر ۲ تا ماسک میشه ۱۲ تا
حالا ۱۲ + ۶ + ۱ هم که واسه تخلیه ای میشه ۱۹ همون گزینه ۳
اگه همه مسائلو جواب بده که خیلی خوبه
خیلی ممنون !!

آره یجورایی خودم پیداش کردم. تا الان که رو همه سوالا جواب داده. سرِ کنکور جواب بده صلوات.

اللهم صل علی محمد و آل محمد و عجل فرجهم....هوف هوف ...فوت کردیم به شما هم برسه
گشتم ببینم یه مثال نقض میشه واسه راه حلتون پیدا کرد !
اینو ببینید !
برای ساخت ترانزیستور pmos تخلیه ای با فناوری n-well با ۱۰ لایه فلز به ۳۰ تا ماسک نیازه
ساخت nmos افزایشی در همین فناوری با دو لایه چند ماسک؟
با راه شما مگه نمیشه ۸ تا لایه از اولی کمتره پس ۳۰ - ۸*۲ -۱ برا تخلیه که میشه ۱۳
ولی جوابش ۱۲ إ
گفته pmos یک ماسک برای n-well و یک ماسک هم برای ایجاد ناحیه تخلیه زیر گیت !
الان شما چطورکی جواب میدی ؟!

اوه شما اشتباه متوجه منظورم شدین یبار دیگه حل میکنم. سوالی که واسه خانوم شهبازی هم حل کردم نگاه کنین.

حل : pmos تخلیه ای ۱۰ لایه فلز داره پس ۲۰ ماسک برای فلزهاش نیازه و ۱ ماسک برای کانال داره که nmos نداره پس در کل از ۳۰ تا ۲۱ ماسک غیر مشترک و ۹ ماسک مشترک داره. حالا nmos افزایشی ۲ لایه فلز داره پس ۴ ماسک برای فلزهاش میخواد برای ساخت بقیه ترانزیستور هم که ۹ ماسک مشترک بود. پس ۳+۹=۱۳ اما اینجا فناوری رو تغییر داده. یعنی یکی هم برای nwell گرفته. سوال کجاست؟ .

إإإإ من همرو کاملاً برعکسی فهمیده بودم
یعنی وقتی فرض مسئله رو میده اول واسه اون ماسکارو جدا می کنیم
بعد بقیه ماسکارو با تعداد ماسک هایی که مسئله خواسته حل میکنیم

---

(۱۹ بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۳۴ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۰۱:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۲۷ ق.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(19 بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۱۹ ق.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  خب یعنی راه حل منحصر به خودتونه ؟! یا از جایی میگید اینو؟
الان ۹۲ گفته دو لایه فلز ۶ تا ماسک
۸ لایه فلز چی میشه؟
که به گفته شما ۲ تاش مشترکه کاریش نداریم...۶ تا از ۸ تا میمونه که ضربدر ۲ تا ماسک میشه ۱۲ تا
حالا ۱۲ + ۶ + ۱ هم که واسه تخلیه ای میشه ۱۹ همون گزینه ۳
اگه همه مسائلو جواب بده که خیلی خوبه
خیلی ممنون !!

آره یجورایی خودم پیداش کردم. تا الان که رو همه سوالا جواب داده. سرِ کنکور جواب بده صلوات.

اللهم صل علی محمد و آل محمد و عجل فرجهم....هوف هوف ...فوت کردیم به شما هم برسه
گشتم ببینم یه مثال نقض میشه واسه راه حلتون پیدا کرد !
اینو ببینید !
برای ساخت ترانزیستور pmos تخلیه ای با فناوری n-well با ۱۰ لایه فلز به ۳۰ تا ماسک نیازه
ساخت nmos افزایشی در همین فناوری با دو لایه چند ماسک؟
با راه شما مگه نمیشه ۸ تا لایه از اولی کمتره پس ۳۰ - ۸*۲ -۱ برا تخلیه که میشه ۱۳
ولی جوابش ۱۲ إ
گفته pmos یک ماسک برای n-well و یک ماسک هم برای ایجاد ناحیه تخلیه زیر گیت !
الان شما چطورکی جواب میدی ؟!

اوه شما اشتباه متوجه منظورم شدین یبار دیگه حل میکنم. سوالی که واسه خانوم شهبازی هم حل کردم نگاه کنین.

حل : pmos تخلیه ای ۱۰ لایه فلز داره پس ۲۰ ماسک برای فلزهاش نیازه و ۱ ماسک برای کانال داره که nmos نداره پس در کل از ۳۰ تا ۲۱ ماسک غیر مشترک و ۹ ماسک مشترک داره. حالا nmos افزایشی ۲ لایه فلز داره پس ۴ ماسک برای فلزهاش میخواد برای ساخت بقیه ترانزیستور هم که ۹ ماسک مشترک بود. پس ۳+۹=۱۳ اما اینجا فناوری رو تغییر داده. یعنی یکی هم برای nwell گرفته. سوال کجاست؟ .


البته چون داریم pmos رو به nmos تبدیل میکنیم یکی هم باید چاه بگیریم. یعنی اگه جای pmos تخلیه ای میگفت nmos تخلیه ای میشد ۱۳ ماسک .

شما هی ویرایش کن ما ضایع شیم
سوال پارسه اس ...ضمیمه می کنم
الان قاطی کردم نفهمیدم بالاخره فهمیدم یا نه ؟!؟

آآآآآووووو ریکاااا خوابت گرفته هاااا
۹+۳ که میشه ۱۲ درست گفته بودید که قبلاً
چرا نوشتید ۱۳ پس ؟؟!؟!

وقتی فن اوری عوض میشه چی میشه؟

فکر کنم بهتره یه هفته مونده به کنکور به یه جمع بندی برسیم :

من شروع میکنم شما ادامه بدید.

---

یه زیر لایه نوع n یا p داریم.

اگر نیاز به ساخت چاه p یا n داشته باشیم یک ماسک لازم داریم.

اگر فرایند وان دوقلو داشته باشیم ۲ تا ماسک لازم داریم.

پ.ن : دیده شده تو تستا که این قسمت اصلا در نظر گرفته نمیشه ، یعنی فرض میکنن که چاه n یا p موجوده .

لایه بعد ، لایه اکسید ذخیم هست که نواحی نفوذ رو مشخص میکنه. اینجا یک ماسک نیاز داریم، برای هم نفوذ ها N و هم P

خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.

حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟

لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .

لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.

یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.

لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.

لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره

به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه


بقیشو شما کامل کنید

(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۲۰ ق.ظ)Falcon نوشته شده توسط:  فکر کنم بهتره یه هفته مونده به کنکور به یه جمع بندی برسیم :

من شروع میکنم شما ادامه بدید.

---

یه زیر لایه نوع n یا p داریم.

اگر نیاز به ساخت چاه p یا n داشته باشیم یک ماسک لازم داریم.

اگر فرایند وان دوقلو داشته باشیم ۲ تا ماسک لازم داریم.

پ.ن : دیده شده تو تستا که این قسمت اصلا در نظر گرفته نمیشه ، یعنی فرض میکنن که چاه n یا p موجوده .

لایه بعد ، لایه اکسید ذخیم هست که نواحی نفوذ رو مشخص میکنه. اینجا یک ماسک نیاز داریم، برای هم نفوذ ها N و هم P

خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.

حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟

لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .

لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.

یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.

لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.

لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره

به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه


بقیشو شما کامل کنید

اینجوری خیلی کامله ولی واسه تست خیلی وقت میگیره
راهی که unic گفت بهتره البته اگر تناقض نداشته باشه

خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.
این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!

حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟
همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.

لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .

لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.

یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.

لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.

لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره

به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه

این دو مرحله رو من یکی کردم گفتم هر جا فلز دیدی بگیر به ازای هر فلز ۲ تا. فکر نکنم در حد کنکور مشکل بر بخورم.


خب اما نکته هایی که من بهش رسیدم.
۱ - همونطور که دیدیم خیلی از نقاطی که ساختشون برای ترانزیستور ها ثابته. و اون راهی که گفتم بر همین اساس بنا شده. البته دونستنِ مطالب بالا خیلی خوبه چراکه ممکنه امسال دیگه نگن ۶ تا فلزش میشه ۲۰ تا شما ۴ فلزش و حساب کن...

۲ - ملاک سنجشه پس اگه جایی دیدین برای فلان مرحله یک ماسک اضافه در نظر گرفته توجه نکنید. چراکه سنجش ساده ترین مراحل ساخت رو در نظر میگیره!

ادامه بدین لطفن...

(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۹:۴۳ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.
این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!

حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟
همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.

لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .

(چون بلد نیستم رنگ عوض کنم، علامت میذارم)
-----------یه جا خوندم که لایه اکسید ماسک نیاز داره

لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.

یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.

-----------همونجا که میخوندم واسه نفوذ ماسک در نظر نگرفته بود

لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.

-----------در مورد این چیزی نمیدونم ولی کلا تعداد ماسکها با احتساب یک لایه فلز ۵ تا میشه
البته در الگوبندی اولیه هم واسه ترانزیستور طبق چیزی که گفتم یه ماسک گرفته بود
یعنی طبق اون چیزی که شماها و من گفتیم همون ۵ ماسکه در کل ! (البته در صورتی که تخلیه ای نباشه..اگه تخلیه باشه میشه ۶ تا)

لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره

به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه

این دو مرحله رو من یکی کردم گفتم هر جا فلز دیدی بگیر به ازای هر فلز ۲ تا. فکر نکنم در حد کنکور مشکل بر بخورم.


خب اما نکته هایی که من بهش رسیدم.
۱ - همونطور که دیدیم خیلی از نقاطی که ساختشون برای ترانزیستور ها ثابته. و اون راهی که گفتم بر همین اساس بنا شده. البته دونستنِ مطالب بالا خیلی خوبه چراکه ممکنه امسال دیگه نگن ۶ تا فلزش میشه ۲۰ تا شما ۴ فلزش و حساب کن...

۲ - ملاک سنجشه پس اگه جایی دیدین برای فلان مرحله یک ماسک اضافه در نظر گرفته توجه نکنید. چراکه سنجش ساده ترین مراحل ساخت رو در نظر میگیره!


------------من هنوز گیرم توو این فناوریااا...یعنی فناوری میشه p-well باشه و اگه باشه چی میشه؟ بازم باید یه ماسک براش در نظر گرفت؟

(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!

احصنت . اینجاست که باید بکوبم بر سر این مغز بی دقت! امیدوارم سر کنکور حواسشو جمع کنه

(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.

چرا؟

---

(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۴۸ ب.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:  

(20 بهمن ۱۳۹۲ ۰۹:۴۳ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.
این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!

حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟
همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.

لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .

(چون بلد نیستم رنگ عوض کنم، علامت میذارم)
-----------یه جا خوندم که لایه اکسید ماسک نیاز داره

لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.

یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.

-----------همونجا که میخوندم واسه نفوذ ماسک در نظر نگرفته بود

لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.

-----------در مورد این چیزی نمیدونم ولی کلا تعداد ماسکها با احتساب یک لایه فلز ۵ تا میشه
البته در الگوبندی اولیه هم واسه ترانزیستور طبق چیزی که گفتم یه ماسک گرفته بود
یعنی طبق اون چیزی که شماها و من گفتیم همون ۵ ماسکه در کل ! (البته در صورتی که تخلیه ای نباشه..اگه تخلیه باشه میشه ۶ تا)

لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره

به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه

این دو مرحله رو من یکی کردم گفتم هر جا فلز دیدی بگیر به ازای هر فلز ۲ تا. فکر نکنم در حد کنکور مشکل بر بخورم.


خب اما نکته هایی که من بهش رسیدم.
۱ - همونطور که دیدیم خیلی از نقاطی که ساختشون برای ترانزیستور ها ثابته. و اون راهی که گفتم بر همین اساس بنا شده. البته دونستنِ مطالب بالا خیلی خوبه چراکه ممکنه امسال دیگه نگن ۶ تا فلزش میشه ۲۰ تا شما ۴ فلزش و حساب کن...

۲ - ملاک سنجشه پس اگه جایی دیدین برای فلان مرحله یک ماسک اضافه در نظر گرفته توجه نکنید. چراکه سنجش ساده ترین مراحل ساخت رو در نظر میگیره!


------------من هنوز گیرم توو این فناوریااا...یعنی فناوری میشه p-well باشه و اگه باشه چی میشه؟ بازم باید یه ماسک براش در نظر گرفت؟

هنوز یک هفته وقت دارید، تو این یه هفته ای فصول اول کتاب های VLSI بحث تکنولوژی ساخت رو مطالعه کنید حتما . دقیق.

p-well و n-well مربوط به فرایند ساخت CMOS هست که چاه P در زیرلایه N یا چاه N رو در زیرلایه P می سازند تا بتونن هر دو ترانزیستور N و P رو بر روی یک زیر لایه داشته باشند.

(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۴۹ ب.ظ)Falcon نوشته شده توسط:  

(20 بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!

احصنت . اینجاست که باید بکوبم بر سر این مغز بی دقت! امیدوارم سر کنکور حواسشو جمع کنه

نکوب...احصنت و درست کن

(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.

چرا؟

---

(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۹:۴۳ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.
این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!

حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟
همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.

لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .

لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.

یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.


لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.

لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره

به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه

این دو مرحله رو من یکی کردم گفتم هر جا فلز دیدی بگیر به ازای هر فلز ۲ تا. فکر نکنم در حد کنکور مشکل بر بخورم.


خب اما نکته هایی که من بهش رسیدم.
۱ - همونطور که دیدیم خیلی از نقاطی که ساختشون برای ترانزیستور ها ثابته. و اون راهی که گفتم بر همین اساس بنا شده. البته دونستنِ مطالب بالا خیلی خوبه چراکه ممکنه امسال دیگه نگن ۶ تا فلزش میشه ۲۰ تا شما ۴ فلزش و حساب کن...

۲ - ملاک سنجشه پس اگه جایی دیدین برای فلان مرحله یک ماسک اضافه در نظر گرفته توجه نکنید. چراکه سنجش ساده ترین مراحل ساخت رو در نظر میگیره!

(چون بلد نیستم رنگ عوض کنم، علامت میذارم)
--------------یعنی طبق اون چیزی که شماها گفتین همون ۵ ماسکه در کل ! (البته در صورتی که تخلیه ای نباشه..اگه تخلیه باشه میشه ۶ تا)
------------من هنوز گیرم توو این فناوریااا...یعنی فناوری میشه p-well باشه و اگه باشه چی میشه؟ بازم باید یه ماسک براش در نظر گرفت؟



هنوز یک هفته وقت دارید، تو این یه هفته ای فصول اول کتاب های VLSI بحث تکنولوژی ساخت رو مطالعه کنید حتما . دقیق.

p-well و n-well مربوط به فرایند ساخت CMOS هست که چاه P در زیرلایه N یا چاه N رو در زیرلایه P می سازند تا بتونن هر دو ترانزیستور N و P رو بر روی یک زیر لایه داشته باشند.
[/quote]

بله ...جناب unic خیلی محبت کردن و عکسشو گذاشتن
مستفیض شدیم بسی !!!!!!

(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۴۹ ب.ظ)Falcon نوشته شده توسط:  

(20 بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.

چرا؟

دلیل غیر منطقی : تو سوالات ۱ ماسک در نظر میگیرن.

دلیل منطقی : کاشت یونی دقیقا زیر پلی اتفاق میفته. در واقع از یکطرف به دیفیوژن و از طرف دیگه به گیت وصله. ازونجایی که اونها ماسک مربوط به خودشون و دارند پس فقط یک ماسک برای زیرِ ناحیه کاشت یونی نیاز داریم تا از بستر کاشته نشده نوع مثلا p جدا بشه.

(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۰۱ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(20 بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۴۹ ب.ظ)Falcon نوشته شده توسط:  

(20 بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.

چرا؟

دلیل غیر منطقی : تو سوالات ۱ ماسک در نظر میگیرن.

دلیل منطقی : کاشت یونی دقیقا زیر پلی اتفاق میفته. در واقع از یکطرف به دیفیوژن و از طرف دیگه به گیت وصله. ازونجایی که اونها ماسک مربوط به خودشون و دارند پس فقط یک ماسک برای زیرِ ناحیه کاشت یونی نیاز داریم تا از بستر کاشته نشده نوع مثلا p جدا بشه.

تو CMOS ما قاعدتا ۲ تا ترانزیستور N و P داریم. فکر کنم کاشت یونی ترانزیستورهای P جدای از N باشند. و برای همین شک دارم که ۲ تا میخواد نه یکی.
چون دوبار باید یون بکاریم

(۲۱ بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۴۹ ق.ظ)Falcon نوشته شده توسط:  

(20 بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۰۱ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  

(20 بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۴۹ ب.ظ)Falcon نوشته شده توسط:  

(20 بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:  همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.

چرا؟

دلیل غیر منطقی : تو سوالات ۱ ماسک در نظر میگیرن.

دلیل منطقی : کاشت یونی دقیقا زیر پلی اتفاق میفته. در واقع از یکطرف به دیفیوژن و از طرف دیگه به گیت وصله. ازونجایی که اونها ماسک مربوط به خودشون و دارند پس فقط یک ماسک برای زیرِ ناحیه کاشت یونی نیاز داریم تا از بستر کاشته نشده نوع مثلا p جدا بشه.

تو CMOS ما قاعدتا ۲ تا ترانزیستور N و P داریم. فکر کنم کاشت یونی ترانزیستورهای P جدای از N باشند. و برای همین شک دارم که ۲ تا میخواد نه یکی.
چون دوبار باید یون بکاریم

یون کاشتن یعنی چه مرحله ای؟
همون نفوذ n+ و p+ نمیشه ؟

توو جوابایی که خانم انرژی + گذاشتن اینطوری نوشته :
"برای ساخت NMOS افزایشی لایه¬های ماسک به صورت زیر خواهد بود : یک ماسک برای پلی، یک ماسک برای دیفیوژن نوع n+، دو ماسک برای لایه های فلز و دو ماسک نیز برای اتصالات (کانتکت)
در PMOS نوع تخلیه¬ای از انجا که چاه نوع n (n-well) در فنآوری n-well process ایجاد شده است، می توان تراننزیستور PMOS را در آن ایجاد کرد. برای این منظور یک ماسک برای ایجاد کانال، یک ماسک برای پلی، یک ماسک برای نفوذ نوع P+، ۸ ماسک برای لایه¬های فلز و به همین تعداد ماسک برای اتصالات نیاز خواهد بود "

یعنی فقط با یک کانال جدا کرده این دو تا رو گویااا !!