تالار گفتمان مانشت
CMOS - نسخه‌ی قابل چاپ

CMOS - narges_r - 17 دى ۱۳۹۰ ۰۴:۵۵ ق.ظ

یه سوال کوچک در زمینه بدست اوردن V(IL) در معکوس کننده CMOS دارم
تو کتاب دیجیتال صدیقی و همینطور VLSI صاحب الزمانی نوشته شده که اگر تمام فرمولهای مربوط به nMOS مثل جریان در حالت اشباع یا خطی یا .... اندیسهارو جابجا کنیم فرمولهای مربوط به pMOS بدست میاد اما تو کتاب دیجیتال صدیقی وقتی خواسته بیشترین مقدار ولتاژ ورودی برای زمانی که خروجی Low باشه رو بدست بیاره (میدونیم در این شرایط ترانزیستور pMOS در حالت خطی و ترانزیستور nMOS در حالت اشباع هست و جریان این دو ترانزیستور را باید در حالات گفته شده برابر هم گذاشت تا V(IL) بدست بیاد) جریان خطی pMOS رو فرمولشو مثل فرمول خطی nMOS نوشته ینی اندیس هارو جابه جا نکرده؟
چرا؟ مگه تو کتاب گفته نشده باید اندیسها جابجا بشه؟!
چه نکته ای اینجا هست که من بهش توجه نکردم؟
لطفا راهنمایی کنید

CMOS - shervinrs - 17 دى ۱۳۹۰ ۱۲:۴۲ ب.ظ

فرمول های مربوط به محاسبه جریان درین - سورس در pmos و nmos مشابه هستن. (همونطور که در صفحه ۶۲-۶۳ کتاب صاحب الزمانی اومده)
تنها تفاوت در اینه که در pmos باید Vth رو به صورت منفی در فرمول قرار بدین.
منظورتون رو از تغییر اندیس متوجه نشدم. (شاید منظورش فرمول های تشخیص اشباع و خطی بوده؟)

CMOS - narges_r - 18 دى ۱۳۹۰ ۰۶:۱۶ ق.ظ

اول از همه تشکر میکنم بابت جوابی که دادید
به صفحاتی که اشاره کردید رجوع کردم، بله شما درست میگید اما نمیدونم کتاب دیجیتال صدیقی رو دارید؟ اگر دارید به صفحه ۱۰۱ رجوع کنید، قسمت مشخصات ولتاژ IDS رو برای هم برای ترانزیستور n و هم برای ترانزیستور p نوشته فرمول جریان رو برای p به این شکل نوشته:
I DS=Kp((V dd- V in - Vtp)(V dd - V out )- (V dd - V out )^2/2
این یعنی:
I DS= Kp [(V sg - Vtp )(V sd) - (V sd )^2/2

منظور من به این قسمت بود دقیقا اندیسهارو برای بدست اوردن فرمول جریان برای ترانزیستور p نسبت به ترانزیستور n جابجا کرده
هرچند که صفحه بعدش وقتی خواسته مثال حل کنه برای بدست اوردن VIL از این فرمول استفاده نکرده و از فرمولی استفاده کرده که شبیه فرمول جریان برای ترانزیستور n هست

احساس میکنم اینجا نکته ای هست که من متوجه اش نشدم یا دارم نادیده میگیرمش

CMOS - shervinrs - 18 دى ۱۳۹۰ ۰۱:۱۰ ب.ظ

من اون کتاب رو ندارم.
بطور کلی اون فرمول هایی که در صفحه ۶۲-۶۳ کتاب صاحب الزمانی هست در هر دو نوع ترانزیستور صادق هستند. تنها کاری که شما باید بکنید اینه که پایه های درین و سورس رو در مدار تعیین کنین. (چون از قبل معلوم نیستن، مثل BJTها)
در nmos پایه با ولتاژ پایین‌تر سورس و در pmos پایه با ولتاژ بالاتر سورس خواهد بود. (صفحه ۴۱ کتاب صاحب الزمانی) با تعیین پایه سورس پایه درین هم معلوم میشه. حالا می تونین Vgs و Vds رو حساب کنین و در فرمول های اشباع یا خطی بگذارین.

راجع به کتاب صدیقی نمی دونم. اما فکر می کنم که دو فرمول زیر مثل هم هستش Sadالبته فکر می کنم Vsg + Vtp صحیح هست نه Vsg - Vtp)(
مهمان عزیز شما قادر به مشاهده پیوندهای انجمن مانشت نمی‌باشید. جهت مشاهده پیوندها ثبت نام کنید.
)
[I DS= Kp [(V sg + Vtp )(V sd) - (V sd )^2/2
[I DS= Kp [(V gs - Vtp )(V ds) - (V ds )^2/2
(اگر هر کدوم از فرمول‌ها رو دوبار در ۱- ضرب کنین به اون یکی میرسین)
به نظرم اینکار (که در کتاب صدیقی و لینک بالا گفته شده) فقط برای اینه که با اعداد مثبت در فرمول جریان کار کنیم. (چون ولتاژ سورس بزرگترین ولتاژ بین سه سر pmos)
البته من همه اینها رو حدس می زنم.

CMOS - narges_r - 19 دى ۱۳۹۰ ۰۵:۳۰ ق.ظ

ممنون دوست من
Vsg - Vtp برای زمانیه که مقدار قدر مطلق Vtp رو در نظر بگیریم