صفحهها: ۱ ۲
فکر کنم بهتره یه هفته مونده به کنکور به یه جمع بندی برسیم :
من شروع میکنم شما ادامه بدید.
---
یه زیر لایه نوع n یا p داریم.
اگر نیاز به ساخت چاه p یا n داشته باشیم یک ماسک لازم داریم.
اگر فرایند وان دوقلو داشته باشیم ۲ تا ماسک لازم داریم.
پ.ن : دیده شده تو تستا که این قسمت اصلا در نظر گرفته نمیشه ، یعنی فرض میکنن که چاه n یا p موجوده .
لایه بعد ، لایه اکسید ذخیم هست که نواحی نفوذ رو مشخص میکنه. اینجا یک ماسک نیاز داریم، برای هم نفوذ ها N و هم P
خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.
حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟
لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .
لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.
یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.
لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.
لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره
به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه
بقیشو شما کامل کنید
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۲۰ ق.ظ)Falcon نوشته شده توسط: فکر کنم بهتره یه هفته مونده به کنکور به یه جمع بندی برسیم :
من شروع میکنم شما ادامه بدید.
---
یه زیر لایه نوع n یا p داریم.
اگر نیاز به ساخت چاه p یا n داشته باشیم یک ماسک لازم داریم.
اگر فرایند وان دوقلو داشته باشیم ۲ تا ماسک لازم داریم.
پ.ن : دیده شده تو تستا که این قسمت اصلا در نظر گرفته نمیشه ، یعنی فرض میکنن که چاه n یا p موجوده .
لایه بعد ، لایه اکسید ذخیم هست که نواحی نفوذ رو مشخص میکنه. اینجا یک ماسک نیاز داریم، برای هم نفوذ ها N و هم P
خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.
حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟
لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .
لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.
یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.
لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.
لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره
به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه
بقیشو شما کامل کنید
اینجوری خیلی کامله ولی واسه تست خیلی وقت میگیره
راهی که unic گفت بهتره البته اگر تناقض نداشته باشه
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: پست موقت : دوستان بزارید شب من اینجا رو خون میکشم:-D الان دارم محاسبات میخونم حواسمو پرت نکنید. من vlsi میبینم از خود بیخود میشم!
Sent from my ME172V using Tapatalk
خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.
این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!
حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟
همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.
لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .
لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.
یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.
لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.
لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره
به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه
این دو مرحله رو من یکی کردم گفتم هر جا فلز دیدی بگیر به ازای هر فلز ۲ تا. فکر نکنم در حد کنکور مشکل بر بخورم.
خب اما نکته هایی که من بهش رسیدم.
۱ - همونطور که دیدیم خیلی از نقاطی که ساختشون برای ترانزیستور ها ثابته. و اون راهی که گفتم بر همین اساس بنا شده. البته دونستنِ مطالب بالا خیلی خوبه چراکه ممکنه امسال دیگه نگن ۶ تا فلزش میشه ۲۰ تا شما ۴ فلزش و حساب کن...
۲ - ملاک سنجشه پس اگه جایی دیدین برای فلان مرحله یک ماسک اضافه در نظر گرفته توجه نکنید. چراکه سنجش ساده ترین مراحل ساخت رو در نظر میگیره!
ادامه بدین لطفن...
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۹:۴۳ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.
این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!
حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟
همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.
لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .
(چون بلد نیستم رنگ عوض کنم، علامت میذارم
-----------یه جا خوندم که لایه اکسید ماسک نیاز داره
لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.
یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.
-----------همونجا که میخوندم واسه نفوذ ماسک در نظر نگرفته بود
لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.
-----------در مورد این چیزی نمیدونم ولی کلا تعداد ماسکها با احتساب یک لایه فلز ۵ تا میشه
البته در الگوبندی اولیه هم واسه ترانزیستور طبق چیزی که گفتم یه ماسک گرفته بود
یعنی طبق اون چیزی که شماها و من گفتیم همون ۵ ماسکه در کل ! (البته در صورتی که تخلیه ای نباشه..اگه تخلیه باشه میشه ۶ تا)
لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره
به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه
این دو مرحله رو من یکی کردم گفتم هر جا فلز دیدی بگیر به ازای هر فلز ۲ تا. فکر نکنم در حد کنکور مشکل بر بخورم.
خب اما نکته هایی که من بهش رسیدم.
۱ - همونطور که دیدیم خیلی از نقاطی که ساختشون برای ترانزیستور ها ثابته. و اون راهی که گفتم بر همین اساس بنا شده. البته دونستنِ مطالب بالا خیلی خوبه چراکه ممکنه امسال دیگه نگن ۶ تا فلزش میشه ۲۰ تا شما ۴ فلزش و حساب کن...
۲ - ملاک سنجشه پس اگه جایی دیدین برای فلان مرحله یک ماسک اضافه در نظر گرفته توجه نکنید. چراکه سنجش ساده ترین مراحل ساخت رو در نظر میگیره!
------------من هنوز گیرم توو این فناوریااا...یعنی فناوری میشه p-well باشه و اگه باشه چی میشه؟ بازم باید یه ماسک براش در نظر گرفت؟
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!
احصنت . اینجاست که باید بکوبم بر سر این مغز بی دقت! امیدوارم سر کنکور حواسشو جمع کنه
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.
چرا؟
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۴۸ ب.ظ)azarakhsh1986 نوشته شده توسط:(20 بهمن ۱۳۹۲ ۰۹:۴۳ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.
این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!
حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟
همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.
لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .
(چون بلد نیستم رنگ عوض کنم، علامت میذارم
-----------یه جا خوندم که لایه اکسید ماسک نیاز داره
لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.
یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.
-----------همونجا که میخوندم واسه نفوذ ماسک در نظر نگرفته بود
لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.
-----------در مورد این چیزی نمیدونم ولی کلا تعداد ماسکها با احتساب یک لایه فلز ۵ تا میشه
البته در الگوبندی اولیه هم واسه ترانزیستور طبق چیزی که گفتم یه ماسک گرفته بود
یعنی طبق اون چیزی که شماها و من گفتیم همون ۵ ماسکه در کل ! (البته در صورتی که تخلیه ای نباشه..اگه تخلیه باشه میشه ۶ تا)
لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره
به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه
این دو مرحله رو من یکی کردم گفتم هر جا فلز دیدی بگیر به ازای هر فلز ۲ تا. فکر نکنم در حد کنکور مشکل بر بخورم.
خب اما نکته هایی که من بهش رسیدم.
۱ - همونطور که دیدیم خیلی از نقاطی که ساختشون برای ترانزیستور ها ثابته. و اون راهی که گفتم بر همین اساس بنا شده. البته دونستنِ مطالب بالا خیلی خوبه چراکه ممکنه امسال دیگه نگن ۶ تا فلزش میشه ۲۰ تا شما ۴ فلزش و حساب کن...
۲ - ملاک سنجشه پس اگه جایی دیدین برای فلان مرحله یک ماسک اضافه در نظر گرفته توجه نکنید. چراکه سنجش ساده ترین مراحل ساخت رو در نظر میگیره!
------------من هنوز گیرم توو این فناوریااا...یعنی فناوری میشه p-well باشه و اگه باشه چی میشه؟ بازم باید یه ماسک براش در نظر گرفت؟
هنوز یک هفته وقت دارید، تو این یه هفته ای فصول اول کتاب های VLSI بحث تکنولوژی ساخت رو مطالعه کنید حتما . دقیق.
p-well و n-well مربوط به فرایند ساخت CMOS هست که چاه P در زیرلایه N یا چاه N رو در زیرلایه P می سازند تا بتونن هر دو ترانزیستور N و P رو بر روی یک زیر لایه داشته باشند.
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۴۹ ب.ظ)Falcon نوشته شده توسط:نکوب...احصنت و درست کن(20 بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!
احصنت . اینجاست که باید بکوبم بر سر این مغز بی دقت! امیدوارم سر کنکور حواسشو جمع کنه
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.
چرا؟
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۰۹:۴۳ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: خوب ، تو این مرحله اگر ترانزیستور افزایشی داشته باشیم برای نواحی کانال باید کاشت یونی داشته باشیم.
این فکر میکنم اگه تخلیه ای باشه کاشت یونی داریم و یک ماسک نیاز داریم نه افزایشی!
حالا دقیق نمیدونم کاشت یونی برای N و P با یک ماسک میشه یا ۲ تا ماسک میخواد ؟
همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.
لایه بعدی اکسید نازک هست که ماسک نیاز نداره .
لایه بعدی پلی هست که هم برای N و P یک ماسک نیاز داره.
یک ماسک برای نفوذ N و یک ماسک هم برای نفوذ P.
لایه بعدی لایه تماس هست که یک ماسک نیاز داره، این لایه از جنس اکسید و ذخیم هست.
لایه بعدی فلز، از جنس الومینیوم ، یک ماسک نیاز داره
به ازای هر لایه فلز دو مرحله قبل تکرار میشه، یعنی برای n لایه فلز ۲n ماسک نیازه
این دو مرحله رو من یکی کردم گفتم هر جا فلز دیدی بگیر به ازای هر فلز ۲ تا. فکر نکنم در حد کنکور مشکل بر بخورم.
خب اما نکته هایی که من بهش رسیدم.
۱ - همونطور که دیدیم خیلی از نقاطی که ساختشون برای ترانزیستور ها ثابته. و اون راهی که گفتم بر همین اساس بنا شده. البته دونستنِ مطالب بالا خیلی خوبه چراکه ممکنه امسال دیگه نگن ۶ تا فلزش میشه ۲۰ تا شما ۴ فلزش و حساب کن...
۲ - ملاک سنجشه پس اگه جایی دیدین برای فلان مرحله یک ماسک اضافه در نظر گرفته توجه نکنید. چراکه سنجش ساده ترین مراحل ساخت رو در نظر میگیره!
(چون بلد نیستم رنگ عوض کنم، علامت میذارم
)--------------یعنی طبق اون چیزی که شماها گفتین همون ۵ ماسکه در کل ! (البته در صورتی که تخلیه ای نباشه..اگه تخلیه باشه میشه ۶ تا)
------------من هنوز گیرم توو این فناوریااا...یعنی فناوری میشه p-well باشه و اگه باشه چی میشه؟ بازم باید یه ماسک براش در نظر گرفت؟
هنوز یک هفته وقت دارید، تو این یه هفته ای فصول اول کتاب های VLSI بحث تکنولوژی ساخت رو مطالعه کنید حتما . دقیق.
p-well و n-well مربوط به فرایند ساخت CMOS هست که چاه P در زیرلایه N یا چاه N رو در زیرلایه P می سازند تا بتونن هر دو ترانزیستور N و P رو بر روی یک زیر لایه داشته باشند.
[/quote]
بله ...جناب unic خیلی محبت کردن و عکسشو گذاشتن
مستفیض شدیم بسی !!!!!!
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۴۹ ب.ظ)Falcon نوشته شده توسط:(20 بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.
چرا؟
دلیل غیر منطقی : تو سوالات ۱ ماسک در نظر میگیرن.
دلیل منطقی : کاشت یونی دقیقا زیر پلی اتفاق میفته. در واقع از یکطرف به دیفیوژن و از طرف دیگه به گیت وصله. ازونجایی که اونها ماسک مربوط به خودشون و دارند پس فقط یک ماسک برای زیرِ ناحیه کاشت یونی نیاز داریم تا از بستر کاشته نشده نوع مثلا p جدا بشه.
(۲۰ بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۰۱ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:(20 بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۴۹ ب.ظ)Falcon نوشته شده توسط:(20 بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.
چرا؟
دلیل غیر منطقی : تو سوالات ۱ ماسک در نظر میگیرن.
دلیل منطقی : کاشت یونی دقیقا زیر پلی اتفاق میفته. در واقع از یکطرف به دیفیوژن و از طرف دیگه به گیت وصله. ازونجایی که اونها ماسک مربوط به خودشون و دارند پس فقط یک ماسک برای زیرِ ناحیه کاشت یونی نیاز داریم تا از بستر کاشته نشده نوع مثلا p جدا بشه.
تو CMOS ما قاعدتا ۲ تا ترانزیستور N و P داریم. فکر کنم کاشت یونی ترانزیستورهای P جدای از N باشند. و برای همین شک دارم که ۲ تا میخواد نه یکی.
چون دوبار باید یون بکاریم
(۲۱ بهمن ۱۳۹۲ ۱۲:۴۹ ق.ظ)Falcon نوشته شده توسط:(20 بهمن ۱۳۹۲ ۱۱:۰۱ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط:(20 بهمن ۱۳۹۲ ۱۰:۴۹ ب.ظ)Falcon نوشته شده توسط:(20 بهمن ۱۳۹۲ ۰۲:۵۹ ب.ظ)unicornux نوشته شده توسط: همون یک ماسک و میخواد فکر کنم.
چرا؟
دلیل غیر منطقی : تو سوالات ۱ ماسک در نظر میگیرن.
دلیل منطقی : کاشت یونی دقیقا زیر پلی اتفاق میفته. در واقع از یکطرف به دیفیوژن و از طرف دیگه به گیت وصله. ازونجایی که اونها ماسک مربوط به خودشون و دارند پس فقط یک ماسک برای زیرِ ناحیه کاشت یونی نیاز داریم تا از بستر کاشته نشده نوع مثلا p جدا بشه.
تو CMOS ما قاعدتا ۲ تا ترانزیستور N و P داریم. فکر کنم کاشت یونی ترانزیستورهای P جدای از N باشند. و برای همین شک دارم که ۲ تا میخواد نه یکی.
چون دوبار باید یون بکاریم
یون کاشتن یعنی چه مرحله ای؟
همون نفوذ n+ و p+ نمیشه ؟
توو جوابایی که خانم انرژی + گذاشتن اینطوری نوشته :
"برای ساخت NMOS افزایشی لایه¬های ماسک به صورت زیر خواهد بود : یک ماسک برای پلی، یک ماسک برای دیفیوژن نوع n+، دو ماسک برای لایه های فلز و دو ماسک نیز برای اتصالات (کانتکت)
در PMOS نوع تخلیه¬ای از انجا که چاه نوع n (n-well) در فنآوری n-well process ایجاد شده است، می توان تراننزیستور PMOS را در آن ایجاد کرد. برای این منظور یک ماسک برای ایجاد کانال، یک ماسک برای پلی، یک ماسک برای نفوذ نوع P+، ۸ ماسک برای لایه¬های فلز و به همین تعداد ماسک برای اتصالات نیاز خواهد بود "
یعنی فقط با یک کانال جدا کرده این دو تا رو گویااا !!