سلام
تو فایل ضمیمه دو تا لی اوت اورده شده. حالا سوال اینه که کدوم بهترن؟
دقیق نمی دونم مقایسه از چه نظره؟ ولی بافرض تاخیر یا خازن باشه فرقی می کنن؟ کدوم بهتره چرا؟
ممنون
بنظر من شکل سمت چپ که دوتا اتصال به Vdd داره بهتره چون هر چی جریان بیشتر باشه سرعت هم بیشتر میشه
من این استدلال از این موضوع گرفتم که مثلا وقتی دو ترانزیستور موازی داریم که با یک ترانزیستور دیگه سری هستند دو نوع چینش داریم که یکی اول ترانزیستور تک به Vdd وصل باشه و دو ترانزیستور موازی با ترانزیستور تک سری باشه و به خروجی وصل باشه و در حالت دوم برعکس یعنی ترانزیستورهای موازی باهم به Vdd وصل باشند و با ترانزیستور تک سری بشه و به خروجی وصل باشه در اینصورت حالت دوم که ترانزیستور های موازی به Vdd وصل هستند و سرعت بالا میره
نمیدونم استدلالم درسته یا نه!
الان جواب درست کدومه؟
ممنون از استدلالتون
استدلال خوبی بود.
راستش این یک اسلاید از یه سری اسلاید بود. الان با توجه به اسلاید های قبلش متوجه شدم چی بوده. در حالت کلی برای هر اتصال سورس و درین ترانزیستورها خازن در نظر گرفته می شه. لی اوت اورده شده یه nand هست. در بالا برای سورس pmosها، خازن حذف می شه ولی برای درینشون خازن داریم. ولی اگر لی اوت رو عوض کنیم شاید تعداد این خازن ها کمتر بشه. مثلا فایل ضمیمه که مثل شکل دومی هست چون تعداد اتصلالاتش با vdd بیتشره تعداد خازن های خروجی شبکه بالابرش کمتر شده.
مشخصه که هر چه ظرفیت خازن خروجی کمتر باشه، زمان شارژ و دشارژش کمتر می شه و تاخیر هم که متناسب با مقاومت و خازن هست کمتر شده و سرعت مدار بالاتر میره.
استدلال شما هم درسته چون وقتی قرار باشه خازن خروجی از بالا شارژ بشه، اگر تعداد اتصالات بیشتر باشه سریعتر شارژ می شه و همون مساله که گفتید.
بازم ممنون
(۰۵ اسفند ۱۳۹۱ ۰۸:۵۰ ب.ظ)انرژی مثبت نوشته شده توسط: ممنون از استدلالتوندرهر دوشکل تعداد خازن ها یکی هست (نیست ؟؟)
استدلال خوبی بود.
راستش این یک اسلاید از یه سری اسلاید بود. الان با توجه به اسلاید های قبلش متوجه شدم چی بوده. در حالت کلی برای هر اتصال سورس و درین ترانزیستورها خازن در نظر گرفته می شه. لی اوت اورده شده یه nand هست. در بالا برای سورس pmosها، خازن حذف می شه ولی برای درینشون خازن داریم. ولی اگر لی اوت رو عوض کنیم شاید تعداد این خازن ها کمتر بشه. مثلا فایل ضمیمه که مثل شکل دومی چون تعداد اتصلالاتش با vdd بیتشره تعداد خازن های خروجی شبکه بالابرش کمتر شده.
مشخصه که هر چه ظرفیت خازن خروجی کمتر باشه، زمان شارژ و دشارژش کمتر می شه و تاخیر هم که متناسب با مقاومت و خازن هست کمتر شده و سرعت مدار بالاتر میره.
استدلال شما هم درسته چون وقتی قرار باشه خازن خروجی از بالا شارژ بشه، اگر تعداد اتصالات بیشتر باشه سریعتر شارژ می شه و همون مساله که گفتید.
بازم ممنون
ولی همون طور که narges_r گفت جریان تو دومی بیشتره به خاطر دو مسیر جدای شبکه بالابر
شکلی که در ارسال قبلم ضمیمه کردم رو ببینید . در این لی اوت یه ۲c از pmos حذف می شه. بین هر contactبا vdd یه خازن در نظر بگیرید. واسه اون contact هایی که به vdd وصلن دوطرفشون vdd می افته و اختلاف ولتاژششون صفر می شه و خذف می شن. خب پس اگر تعداد اتصالات به vdd بیشتر شه تعداد خازن ها کم می شه.
راستش این چیزیه که من از این شکل متوجه شدم. چون گفته شده بود که تغییر لی اوت می تونه میزان خازن ها رو کم کنه.
(۰۵ اسفند ۱۳۹۱ ۱۱:۳۰ ب.ظ)انرژی مثبت نوشته شده توسط: شکلی که در ارسال قبلم ضمیمه کردم رو ببینید . در این لی اوت یه ۲c از pmos حذف می شه. بین هر contactبا vdd یه خازن در نظر بگیرید. واسه اون contact هایی که به vdd وصلن دوطرفشون vdd می افته و اختلاف ولتاژششون صفر می شه و خذف می شن. خب پس اگر تعداد اتصالات به vdd بیشتر شه تعداد خازن ها کم می شه.طبق فایل ضمیمه اول گفتم.
راستش این چیزیه که من از این شکل متوجه شدم. چون گفته شده بود که تغییر لی اوت می تونه میزان خازن ها رو کم کنه.
صدالبته اگر تعداد اتصالات به vdd بیشتر شه تعداد خازن ها کم می شه.مثل شکل ضمیمه دوم
اما توشکل ضمیمه اول هردو pmos ها به vdd وصل هستن پس تغییری تو تعدا خازن ها پیش نمیاد و فقط تو جریان هست که فرق میکنند.
pmos ها بله . در هر دو شکل یه طرف pmos ها به vdd متصله. ولی مساله اینه که در کل در بالا ۳ تا contact داریم که در یکی دو تاشون به vdd وصله در دیگری یکی. خب اگر بخوایم خازن در نظر بگیریم خازن contact ی که به vdd وصله صفر می شه چون دو طرفش vdd می افته. اما contact ی که به خروجی وصله خازن رو داره. حالا هر چه تعداد contact های متصل به vdd بیشتر باشه بهتره. تعداد خازن ها کمتر می شه.
البته بازم میگم نظر منه. اگر درست نیست اصلاح بفرمایید تا یاد بگیرم.
ممنون از دوستان